化学气相沉积为一种制备于高纯度、高性能的固态材料的化学技术。因此，该制成通常在半导体工业中制备薄膜，而所沉积的材料包夸:钻石、矽、碳纤维、奈米线、奈米碳管、SiO2、钨以及具有High-K特性的材料。

PECVD的原理为，在于两个电极板之间施加一个电压，此电压会将位于两个电极板之间的气体解离，进而产生电浆，此电浆态的气体有助于化学反应，并沉积于基板上。

低真空化学气相沉积是一种化学气相沉积技术，利用热能在基板表面上引发前驱气体的反应。表面反应是形成固化材料的原因。低真空用于减少气相反应，还可提高整个基材的均匀性。此外，该过程取决于温度控制，过程温度越高，维持性越好。

ICP-CVD可以在较低的温度下沉积各种薄膜而不会降低薄膜质量。因使用ICP做为电浆源，有电浆浓度较高、能量损耗较低、功率较大与反应速率较高等优点。