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设备产品

退火炉

 

 
 

 

 

退火炉是用于制造半导体元件的制程方法。该制程包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理旨在达到不同的效果。可以加热晶片以激活掺杂剂,使沉积的膜致密化,并改变生长的膜的状态。暴露在高温下可以修复损坏。该过程称为退火。炉子退火可以集成到其他炉子处理步骤中,例如氧化,也可以单独处理。

 

 

 

 


 

应用领域 腔体
  • 半导体。
  • MEMs。
  • 纳米技术。
  • LED。
  • 太阳能电池产业。
  • 平板显示器。
  • 通过使用加热线圈和水冷不锈钢法兰来控制石英管的温度。
  • 炉管配置:水平,结合传送机构。
  • 带有视窗的手动炉门。

 

配置和优点 选件
  • 石英管尺寸:最大12英寸。
  • 单载片或多载片(最多50个晶圆)。
  • 控制精度:<±1°C。
  • 制程气体:N2、Ar、H2。
  • 最高温度:最高1700°C。
  • 抽气阀件前端会有冷冻捕捉器。
  • 易于清洁和维护。
  • 和自動傳送組成在一起。