为了因应快速的实验和有限的空间，SYSKEY针对2吋玻璃和矽晶圆基板开发出极小型设备。 Mini Line是用于小批量生产的实用制造系统。通过使得更容易生产少量的元件，这是研究人员期望的新型研究和开发，并且可实现少量的多样化产品，而且其设备体积小不占用空间。

对于SYSKEY的Mini Line系统，包含热蒸镀、溅镀、电浆辅助式化学气相沉积、电浆辅助式原子级沉积、干蚀刻机、感应耦合电浆蚀刻、电子束蒸发，并可以精准的控制制程气体与监控其数据(压力、载台温度)，并提供高品质的薄膜。

 

 

 

 

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Multi-Target Sputter	Thermal Evaporation	PECVD
3个磁控溅镀源。 1英吋的靶材。 优异的薄膜均匀度小于+/-3%。 具有顺序操作或共沉积多个溅镀源。 射频、值流或脉冲直流用于不导电或导电的靶材。 载台最高可加温至800oC。	3个蒸发源(金属或有机)。 优异的薄膜均匀度小于+/-3%。 具有顺序操作或共沉积多个蒸发源。 载台最高可加温至800oC。	主要沉积SiOx、SiNx與a-S薄膜。 优异的薄膜均匀度小于+/-3%。 稳定的温度控制，可将载台加热至400 oC。 电容耦合远程电浆源。
PEALD	Reactive-Ion Etching	Inductively Coupled Plasma Etching
前驱物可增加为两组。 优异的薄膜均匀度小于+/-1%。 电容耦合远程电浆源。 载台最高可加温至400oC。 使用材料有： Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, ZnO, AlN, TiN, Pt…。	具有自动匹配的13.56MHz的射频电源。 优异的薄膜均匀度小于+/-3%。 精准流量控制器（最多6条气体管线）。 稳定的温度控制，将载台加热至200°C或冷却至-20°C。 蚀刻材料：III-V族化合物半导体、金属、矽、光阻。	上方有ICP。 优异的薄膜均匀度小于+/-3%。 稳定的温度控制，将载台加热至200°C或冷卻至-20°C。 待蚀刻物下方具有氦气冷却之功能，并有助于非等向性蚀刻。 蚀刻材料：III-V族化合物半导体、金属、矽、光阻。