离子束蚀刻 (IBE) 是一种先进的蚀刻技术，利用离子源以卓越的均匀性和精度从样品表面去除材料。 IBE 可应用于多种材料，包括金属、氧化物、半导体和有机化合物。

这种蚀刻方法涉及使用带电粒子（通常是氩离子）的高能量束，以物理方式去除样品表面的材料。

这些离子在离子源中产生，透过电场加速到高能量，然后使用磁性或静电透镜聚焦成束。当离子束射向样品表面时，它会与材料中的原子碰撞，导致它们从表面喷射出来。透过调节离子束的能量和瞄准的角度，可以精确控制蚀刻过程。

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配置和优点	选件
可实现高蚀刻速率和低速率控制 采用均匀平行光束实现高度均匀蚀刻 为先进研究应用的弹性配置 弹性的晶片处理能力 - 开放式取放、单晶片传送腔或cassette-to-cassette使用机械手臂传送 产生可以控制的非等向性蚀刻(anisotropic etching) 由于蚀刻束相对于样品表面的角度可变，因此可以控制角度轮廓	蚀刻终点侦测（OES，激光）相容性。 可以与传送腔、机械手臂和手套箱整合在一起。 样品尺寸(最大) : 200 mm 样品温度 : -20 °C to 80 °C 晶背氦气冷却 : 氦气背冷压力最大 50Torr  (选配) 样品倾斜角度 : 倾斜角度从 0° 到 170° 精度0.1° 样品旋转速度 : 最大20 RPM 样品传送 : 手动或机械手臂自动传送