化学气相沉积
化学气相沉积为一种制备于高纯度、高性能的固态材料的化学技术。因此,该制成通常在半导体工业中制备薄膜,而所沉积的材料包夸:钻石、矽、碳纤维、奈米线、奈米碳管、SiO2、钨以及具有High-K特性的材料。
感应耦合电浆化学气相沉积设备
ICP-CVD 感应耦合电浆化学气相沉积(ICP-CVD)是一种使用ICP的化学气相沉积技术,可为沉积反应提供一些能量。与PECVD方法相比,ICP-CVD可以在较低的温度下沉积各种薄膜而不会降低薄膜质量。因使用ICP做为电浆源,有电浆浓度较高、能量损耗较低、功率较大与反应速率较高等优点。
SYSKEY的ICP-CVD可以精准的控制制程气体与监控其数据(压力、载台温度),并提供高品质的薄膜。
3 D Graphene
应用领域 | 腔体 |
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配置和优点 | 选件 |
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