+886-3-5590169
+886-3-5574282
info@syskey.com.tw

设备产品

感应耦合电浆化学气相沉积设备

 

 

ICP-CVD 感应耦合电浆化学气相沉积(ICP-CVD)是一种使用ICP的化学气相沉积技术,可为沉积反应提供一些能量。与PECVD方法相比,ICP-CVD可以在较低的温度下沉积各种薄膜而不会降低薄膜质量。因使用ICP做为电浆源,有电浆浓度较高、能量损耗较低、功率较大与反应速率较高等优点。

SYSKEY的ICP-CVD可以精准的控制制程气体与监控其数据(压力、载台温度),并提供高品质的薄膜。

 

 

 

      3 D Graphene


 

应用领域 腔体
  • 奈米碳管与石墨烯制程。
  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜制程。
  • 二维材料。
  • 医疗和商业产品的耐磨薄膜。
  • 阳极电镀处理铝腔。
  • 通过使用水冷系统、加热器或加热包来控制腔体温度。

 

配置和优点 选件
  • 客制化的基板尺寸,最大直径可达12寸晶圆。
  • 腔体压力:50~10-3 Torr。
  • 精准流量控制器,气体分布高度均匀,最多可扩充10条气体管线。
  • 稳定的温度控制,将载盘加热至700°C。
  • 使用Tornado ICP线圈,ICP电浆范围为50W ~2000W,满足客户ICP-CVD制程需求。
  • 可以与传送腔、机械手臂和手套箱整合在一起。
  • RPS用于腔体清洁。
  • 椭圆偏振光谱仪。
  • 发射光谱仪。
  • 高真空传送系统。

本网站使用Cookies。点击"同意"或继续浏览网站即表示你同意我们使用Cookie。(隐私权政策)

拒绝