类金刚石 (DLC) 涂层是一种无定形纳米复合碳材料，具有与天然金刚石相似的特性，包括低摩擦、高硬度和高耐腐蚀性。

批量式電漿輔助氣相沉積系統為一種使用化學氣相沉積技術，可為沈積反應提供能量

ALD反应为使用两种或更多种称为前驱物的化学物质（也称为〝反应物〞）。这些前驱物以一种具有连续性，且自我限制的方式与一种材料的表面产生反应。通过ALD循环的次数，薄膜会缓慢的沉积。

加热式原子层沉积为一种气相化学沉积技术。大多数的ALD反应，将使用两种化学物质称为前驱物。这些前驱物以连续且自限的方式与材料表面进行反应。通过ALD循环的次数，缓慢的沉积薄膜。而热沉积式的ALD需要较高的制程温度(传统为150~350 oC)。

电浆辅助式原子级沉积是一种利用电浆作为裂化前驱物材料的条件，而不是仅依靠来自加热基板的热能。制程中只需靠电浆来进行裂化前驱物材料，可不受前驱物反应温度之限制，于低温成长高致密性及低杂质的高品质薄膜。

蚀刻技术大致上可分成两种，干式蚀刻与湿式蚀刻。湿式蚀刻中为使用化学药剂，经过化学反应以达到蚀刻之目的；干式蚀刻为一种电浆式蚀刻，其原理为电浆中离子撞击试片的物理动作或者为电浆中的自由基与试片表面的薄膜产生化学反应。

反应离子蚀刻中可以非常精确地控制其蚀刻轮廓、蚀刻速率和均匀性，并具有重复性。等向性蚀刻以及非等向性蚀刻都是可能的。因此，RIE制程是化学物理蚀刻制程，也是半导体制造中用于构造各种薄膜的最重要制程。

感应耦合电浆由磁场围绕石英晶体管所提供。产生的高密度电浆被线圈包围，将充当变压器中的次级线圈，加速电子和离子，从而引起碰撞，产生更多的离子和电子。高密度的电浆和低真空度增强了具有非等向性的高蚀刻速率。

原子层蚀刻是一种先进的蚀刻技术，可精准的控制其蚀刻深度。随着元件尺寸的减小，需要进一步的使用ALE才能达到其所需的精度，该技术克服了原子级常规蚀刻的局限性。基于电浆的原子层蚀刻是气体以定量注入和离子轰击的周期性蚀刻过程，并具有去除单个薄膜层、极低的损坏率等优点。