感应耦合电浆蚀刻

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Semiconductors

Physical / Material research

感应耦合电浆（ICP）蚀刻是在标准反应离子蚀刻（RIE）的基础上，添加电感耦合电浆的。感应耦合电浆由磁场围绕石英晶体管所提供。产生的高密度电浆被线圈包围，将充当变压器中的次级线圈，加速电子和离子，从而引起碰撞，产生更多的离子和电子。

高密度的电浆和低真空度增强了具有非等向性的高蚀刻速率。可以根据制程要求通过调节来自射频发生器的直流偏压来控制离子和电子能量。

SYSKEY的系统可以精准的控制制程气体与电浆制程，并提供高精准度的薄膜蚀刻。

应用领域	腔体
矽化合物蚀刻(SiO2、SiN4)。光阻蚀刻。 III-V族化合物半导体（GaAsn，InP，GaN）蚀刻。微机电系统。金属与矽蚀刻。	阳极电镀处理铝腔。通过使用水冷系统、加热器或加热包来控制腔体温度。
配置和优点	选件
客制化的基板尺寸，最大直径可达12寸晶圆。优异的薄膜均匀度小于±3％。具有高均匀度气体分布的质量流量控制器。稳定的温度控制，将载盘加热至300°C或冷却至-20°C。使用Tornado ICP线圈，ICP电浆高达2000W，可增强低温下的沉积。低损坏，高速率处理，高深宽比。基板具有氦气冷却之功能，均匀的控制温度。均匀的气体扩散，具有优化的气体分布。	静电吸盘。蚀刻终点侦测（OES，激光）相容性。可以与传送腔、机械手臂和手套箱整合在一起。