电子束蒸发系统为一种物理气相沉积（PVD）技术，其技术比热蒸发更具有优势。它能够在非常高的温度下熔化材料，如钨、石墨...等等。结合石英震荡片的反馈信号，可轻松控制蒸发速率，以调节电子束电流并蒸发更多材料而不会破坏真空。

电子束蒸发其电子束是由钨丝所产生，并受到电场和磁场的驱动而朝向蒸发材料，当电子与材料撞击时，电子的动能将转换成热能，及加热材料，使材料由固态转化为气态以沉积在基板表面上。且该过程需在高真空环境中，通过自由路径的方式在基板表面上形成薄膜。

超高真空环境为其真空压力低于10的-8至10的-12 Torr，真空环境对于研究非常重要，表面应保持无污染并使用较低能量的电子和离子的实验技术使用。

在半导体制程中，当遇到不易使用蚀刻方式来完成想要的电路图案时，就可以采用 Lift-Off制程来做出想要的金属图案。在此过程中，电子束蒸发于在基板表面上沉积所需的薄膜层于牺牲层与基材上，最终在洗去其牺牲层，以得到其电路图案。

化学气相沉积为一种制备于高纯度、高性能的固态材料的化学技术。因此，该制成通常在半导体工业中制备薄膜，而所沉积的材料包夸:钻石、矽、碳纤维、奈米线、奈米碳管、SiO2、钨以及具有High-K特性的材料。

PECVD的原理为，在于两个电极板之间施加一个电压，此电压会将位于两个电极板之间的气体解离，进而产生电浆，此电浆态的气体有助于化学反应，并沉积于基板上。

低真空化学气相沉积是一种化学气相沉积技术，利用热能在基板表面上引发前驱气体的反应。表面反应是形成固化材料的原因。低真空用于减少气相反应，还可提高整个基材的均匀性。此外，该过程取决于温度控制，过程温度越高，维持性越好。

ICP-CVD可以在较低的温度下沉积各种薄膜而不会降低薄膜质量。因使用ICP做为电浆源，有电浆浓度较高、能量损耗较低、功率较大与反应速率较高等优点。

SYSKEY针对中小尺寸的需求开发串集的PVD 设备，拥有4个单独的溅镀腔体，让客户能任意搭配沉积的材料，同时保有弹性和低价的系统。