离子束蚀刻 (IBE) 是一种具有方向性的物理刻蚀技术，利用离子源以卓越的均匀性和刻蚀精度从样品表面去除材料。 IBE 可应用于各种固体材料，包括金属、氧化物、氮化物、半导体，甚至有机化合物。

射频离子源产生氩离子，经过电场加速和中和器中和后，高速轰击待刻材料表面。通过调节离子束的能量和入射的角度，可以精确控制刻蚀过程和效果。

 

 

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配置和优点	选件
可实现高、低速率控制 采用均匀平行离子束实现大面积均匀刻蚀 可根据客户应用定制特定功能 弹性的晶片处理能力 - 开放式取放、单晶片传送腔或cassette-to-cassette使用机械手臂传送 可实现方向性刻蚀和各向异性刻蚀 产生可以控制的非等向性蚀刻(anisotropic etching) 由于蚀刻束相对于样品表面的角度可变，因此可以控制角度轮廓	刻蚀终点监测（OES，激光） 可集成样品传送腔、机械手臂、手套箱等 最大样品尺寸 : 200 mm 样品温度控制 : -20 °C to 80 °C 晶圆背氦气冷却: 氦气背冷压力最大 50Torr  (选配) 样品倾斜角度 : 倾斜角度从 0° 到 170° 精度0.1° 样品旋转速度 : 最大20 RPM 样品传送 : 手动或机械手臂自动传送