溅镀沉积为一种物理气相沉积方法，通过从靶材溅镀出材料，然后沉积至基板上来形成薄膜。在这种技术中，用氩气或氮气等离子轰击靶材，并将基板以适当的距离放置在靶材的前面。优点在于能在较低的温度下至被高熔点材料的薄膜。

磁控共溅镀指同时有两个或多个磁控溅镀枪，溅镀于被镀物上。磁控共溅镀主要用于复合金属或材料，通过分别优化每一支磁控溅镀枪的功率控制薄膜品质，其薄膜厚度取决于溅镀时间。共溅镀系统优点在于能够同时利用多个靶材进行制程，可针对个别材料进行参数调整

超高真空环境为其真空压力低于10的-8至10的-12 Torr，真空环境对于研究非常重要，表面应保持无污染并使用较低能量的电子和离子的实验技术使用。

在单一材料薄膜无法满足所需规格的精密系统中，多层膜的作用变得越来越重要。因此薄膜的精确控制制程已成为当前多层薄膜研究的方向。 SYSKEY多层膜磁控溅镀系统拥有基板公自转机构，可实现精准的多层膜结构并可以一次批量生产。

In-Line的溅镀沉积是指基板在一个或多个溅镀阴极下方以线性的方式通过以获取其薄膜沉积。其基板沿着轨道穿过各个真空腔内。目前多应用于抗电磁波、产品装饰膜、被动元件、触控屏、彩色虑光片、显示器、薄膜太阳能电池等。

随着LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，制造设备也变得更大，需要越来越大的设备投资。 SYSKEY针对中小尺寸的需求开发串集的PVD 设备，拥有4个单独的溅镀腔体，让客户能任意搭配沉积的材料，同时保有弹性和低价的系统。

热蒸发制程是用于沉积材料中最简单的物理气相沉积。将材料置于真空环境中的蒸发源中，使其加热并蒸发，以最直接的方式蒸发到基板上，然后在基板上凝结成固体形成薄膜。热蒸发比溅镀提供更快的蒸发速率，但其容纳材料的乘载器尺寸有限，并且难以控制其蒸发速率。

热蒸发为PVD最简单的形式之一，其中以电阻式加热法最为常见的。优点为它们可以提供一种简单的薄膜沉积方法，主要做法为选用较高的熔点材料做为乘载舟，再将预镀之材料放置在舟上，然后加上正负电压于舟两端，进而进行加热。

有机材料热沉积系统使用高精准热蒸发源作为加热源，并使用金属、石英、陶瓷或PBN坩埚来容纳有机材料以及使用PID控制器来控制其沉积速率。该系统通常用于有机电子研究领域，例如OPV、OLED、OPD...

电子束蒸发系统为一种物理气相沉积（PVD）技术，其技术比热蒸发更具有优势。它能够在非常高的温度下熔化材料，如钨、石墨...等等。结合石英震荡片的反馈信号，可轻松控制蒸发速率，以调节电子束电流并蒸发更多材料而不会破坏真空。

电子束蒸发其电子束是由钨丝所产生，并受到电场和磁场的驱动而朝向蒸发材料，当电子与材料撞击时，电子的动能将转换成热能，及加热材料，使材料由固态转化为气态以沉积在基板表面上。且该过程需在高真空环境中，通过自由路径的方式在基板表面上形成薄膜。

超高真空环境为其真空压力低于10的-8至10的-12 Torr，真空环境对于研究非常重要，表面应保持无污染并使用较低能量的电子和离子的实验技术使用。

在半导体制程中，当遇到不易使用蚀刻方式来完成想要的电路图案时，就可以采用 Lift-Off制程来做出想要的金属图案。在此过程中，电子束蒸发于在基板表面上沉积所需的薄膜层于牺牲层与基材上，最终在洗去其牺牲层，以得到其电路图案。

化学气相沉积为一种制备于高纯度、高性能的固态材料的化学技术。因此，该制成通常在半导体工业中制备薄膜，而所沉积的材料包夸:钻石、矽、碳纤维、奈米线、奈米碳管、SiO2、钨以及具有High-K特性的材料。

PECVD的原理为，在于两个电极板之间施加一个电压，此电压会将位于两个电极板之间的气体解离，进而产生电浆，此电浆态的气体有助于化学反应，并沉积于基板上。

低真空化学气相沉积是一种化学气相沉积技术，利用热能在基板表面上引发前驱气体的反应。表面反应是形成固化材料的原因。低真空用于减少气相反应，还可提高整个基材的均匀性。此外，该过程取决于温度控制，过程温度越高，维持性越好。

ICP-CVD可以在较低的温度下沉积各种薄膜而不会降低薄膜质量。因使用ICP做为电浆源，有电浆浓度较高、能量损耗较低、功率较大与反应速率较高等优点。

SYSKEY针对中小尺寸的需求开发串集的PVD 设备，拥有4个单独的溅镀腔体，让客户能任意搭配沉积的材料，同时保有弹性和低价的系统。

类金刚石 (DLC) 涂层是一种无定形纳米复合碳材料，具有与天然金刚石相似的特性，包括低摩擦、高硬度和高耐腐蚀性。

批量式電漿輔助氣相沉積系統為一種使用化學氣相沉積技術，可為沈積反應提供能量

ALD反应为使用两种或更多种称为前驱物的化学物质（也称为〝反应物〞）。这些前驱物以一种具有连续性，且自我限制的方式与一种材料的表面产生反应。通过ALD循环的次数，薄膜会缓慢的沉积。

加热式原子层沉积为一种气相化学沉积技术。大多数的ALD反应，将使用两种化学物质称为前驱物。这些前驱物以连续且自限的方式与材料表面进行反应。通过ALD循环的次数，缓慢的沉积薄膜。而热沉积式的ALD需要较高的制程温度(传统为150~350 oC)。

电浆辅助式原子级沉积是一种利用电浆作为裂化前驱物材料的条件，而不是仅依靠来自加热基板的热能。制程中只需靠电浆来进行裂化前驱物材料，可不受前驱物反应温度之限制，于低温成长高致密性及低杂质的高品质薄膜。

蚀刻技术大致上可分成两种，干式蚀刻与湿式蚀刻。湿式蚀刻中为使用化学药剂，经过化学反应以达到蚀刻之目的；干式蚀刻为一种电浆式蚀刻，其原理为电浆中离子撞击试片的物理动作或者为电浆中的自由基与试片表面的薄膜产生化学反应。

反应离子蚀刻中可以非常精确地控制其蚀刻轮廓、蚀刻速率和均匀性，并具有重复性。等向性蚀刻以及非等向性蚀刻都是可能的。因此，RIE制程是化学物理蚀刻制程，也是半导体制造中用于构造各种薄膜的最重要制程。

感应耦合电浆由磁场围绕石英晶体管所提供。产生的高密度电浆被线圈包围，将充当变压器中的次级线圈，加速电子和离子，从而引起碰撞，产生更多的离子和电子。高密度的电浆和低真空度增强了具有非等向性的高蚀刻速率。

原子层蚀刻是一种先进的蚀刻技术，可精准的控制其蚀刻深度。随着元件尺寸的减小，需要进一步的使用ALE才能达到其所需的精度，该技术克服了原子级常规蚀刻的局限性。基于电浆的原子层蚀刻是气体以定量注入和离子轰击的周期性蚀刻过程，并具有去除单个薄膜层、极低的损坏率等优点。

微波等离子清洗技术具有无损伤、效率高、无电极溅镀污染等优点。可彻底清洗处理材料表面污染物，适用于敏感晶片的封装清洗。