原子层沉积（ALD）为一种气相化学沉积技术。大多数的ALD反应，将使用两种化学物质称为前驱物。这些前驱物以连续且自限的方式与材料表面进行反应。通过ALD循环的次数，缓慢的沉积薄膜。而热沉积式的ALD需要较高的制程温度(传统为150~350oC)。

SYSKEY的系统可以精准的控制ALD的制程，薄膜的厚度和均匀度皆小于+/- 1％。

厚度均匀度（WIW）：

单个12英寸晶圆用于沉积目标厚度为5nm的Al2O3和HfO2膜。使用椭偏仪进行27点厚度测量并输入标准偏差公式。在±0.5nm范围内和均匀度的5％以内。

Al2O3 均匀度=1.58%	HfO2 均匀度=1.27%

介电常数和功函数：

准备三个矽晶片，并以固定的厚度沉积Al2O3/ TiN和化学氧化物/ HfO2/ TiN。测量三个样品的CV图以计算介电常数和泄漏电流：介电常数应为7〜9（Al2O3）和18〜22（HfO2），并且泄漏电流小于1 nA（@ 1V）。