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设备产品

原子层沉积设备

原子层沉积(ALD)为一种气相化学沉积技术。大多数的ALD反应,将使用两种化学物质称为前驱物。这些前驱物以连续且自限的方式与材料表面进行反应。通过ALD循环的次数,缓慢的沉积薄膜。而热沉积式的ALD需要较高的制程温度(传统为150~350oC)。

 

SYSKEY的系统可以精准的控制ALD的制程,薄膜的厚度和均匀度皆小于+/- 1%。

                        批量式的ALD

厚度均匀度(WIW):

单个12英寸晶圆用于沉积目标厚度为5nm的Al2O3和HfO2膜。使用椭偏仪进行27点厚度测量并输入标准偏差公式。在±0.5nm范围内和均匀度的5%以内。

Al2O3
均匀度=1.58%
HfO2
均匀度=1.27%   

介电常数和功函数:

准备三个矽晶片,并以固定的厚度沉积Al2O3/ TiN和化学氧化物/ HfO2/ TiN。测量三个样品的CV图以计算介电常数和泄漏电流:介电常数应为7〜9(Al2O3)和18〜22(HfO2),并且泄漏电流小于1 nA(@ 1V)。


应用领域 腔体
  • 高k值之氧化物。
  • OLED和矽太阳能电池的钝化层。
  • 微机电系统。
  • 纳米电子学。
  • 纳米孔结构薄膜。
  • 光学薄膜。
  • 薄膜封装技术。
  • 铝腔或者不锈钢腔体,其占地面积小,可缩短制程时间。
  • 通过使用水冷系统、加热器或加热包来控制腔体温度。

 

 

配置和优点 选件
  • 客制化的基板尺寸,最大直径可达300mm晶圆。
  • 优异的薄膜均匀度小于±1%。
  • 较高的深宽比和复杂结构具有相同特性之薄膜沉积。
  • 薄膜具有高致密性。
  • 前驱物材料可多达6种并可分别加热到200°C。
  • 快速脉冲的气体输送阀,反应时间为10毫秒。
  • 通过稳定的温度控制,将基板载台加热到400°C。
  • 材料:Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。
  • 可以与传送腔、机械手臂和手套箱整合在一起。
  • 椭圆偏振光谱仪。
  • 高真空传送系统。

 

 

 

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