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化学气相沉积

CVD 化學氣相沉積(CVD)為一種薄膜沉積方法,其中將基材暴露於一種或多種揮發性氣體中,在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用於在真空環境中製造高質量與高性能的固體材料。因此,該製程通常在半導體工業中用於製造薄膜。

 Figure 1:化學氣相沉積的步驟

在典型的CVD中,將前驅物在室溫下進料到反應腔體中。當它們與加熱的基板接觸時,它們發生反應或分解以形成薄膜,並沉積在基材上。在此過程中,還會產生副產物,這些副產物可通過流經反應腔體的氣流除去。其製程溫度非常重要,會影響其化學反應。                                                                                                                                                      

 

 


  Figure 2: 示意圖-化學氣相沉積的步驟