蚀刻技术大致上可分成两种，干式蚀刻与湿式蚀刻。湿式蚀刻中为使用化学药剂，经过化学反应以达到蚀刻之目的；干式蚀刻为一种电浆式蚀刻，其原理为电浆中离子撞击试片的物理动作或者为电浆中的自由基与试片表面的薄膜产生化学反应。

反应离子蚀刻中可以非常精确地控制其蚀刻轮廓、蚀刻速率和均匀性，并具有重复性。等向性蚀刻以及非等向性蚀刻都是可能的。因此，RIE制程是化学物理蚀刻制程，也是半导体制造中用于构造各种薄膜的最重要制程。

原子层蚀刻是一种先进的蚀刻技术，可精准的控制其蚀刻深度。随着元件尺寸的减小，需要进一步的使用ALE才能达到其所需的精度，该技术克服了原子级常规蚀刻的局限性。基于电浆的原子层蚀刻是气体以定量注入和离子轰击的周期性蚀刻过程，并具有去除单个薄膜层、极低的损坏率等优点。

微波等离子清洗技术具有无损伤、效率高、无电极溅镀污染等优点。可彻底清洗处理材料表面污染物，适用于敏感晶片的封装清洗。