CVD 化学气相沉积（CVD）为一种薄膜沉积方法，其中将基材暴露于一种或多种挥发性气体中，在基板表面上反应或分解以生成所需的薄膜沉积物。这种方法通常用于在真空环境中制造高质量与高性能的固体材料。因此，该制程通常在半导体工业中用于制造薄膜。

 Figure 1:化学气相沉积的步骤

在典型的CVD中，将前驱物在室温下进料到反应腔体中。当它们与加热的基板接触时，它们发生反应或分解以形成薄膜，并沉积在基材上。在此过程中，还会产生副产物，这些副产物可通过流经反应腔体的气流除去。其制程温度非常重要，会影响其化学反应。                                                                                                                                              

  Figure 2: 示意图-化学气相沉积的步骤