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设备产品

剥离成形电子束设备

对于有些金属,我们很难使用蚀刻(Etching)方式来完成想要的电路图案(Circuit Pattern)时,就可以采用 Lift-Off制程来做出想要的金属图案。在此过程中,电子束蒸发于在基板表面上沉积所需的薄膜层于牺牲层与基材上,最终在洗去其牺牲层,以得到其电路图案。由于SYSKEY的系统可以精准的控制蒸发速度,因此薄膜厚度和均匀度皆小于+/- 3%

 针对Lift-Off制程设计载台水冷或液态氮冷却。

Lift-Off制程步骤:

 

1.准备基板。
2.牺牲薄膜层的沉积。
3.对牺牲层进行图案化(例如蚀刻),以形成反向图案。
4.沉积目标材料。
5.洗去牺牲层以及目标材料的表面。
6.最终图案层:
①基材
②牺牲层
③目标材料

 

 

 

 

 

 


应用领域 腔体
  • Lift-Off制程。

 

  • 客制化的腔体尺寸取决于基板尺寸和其应用。
  • 腔体最高可至650 mm。
  • 腔体的极限真空度约为10-8 Torr。
配置和优点 选件
  • 客制化的基板尺寸,最大直径可达12寸晶圆。
  • 优异的薄膜均匀度小于±3%。
  • 水冷坩埚的多组坩锅旋转电子束源(1/2/4/6坩埚)。
  • 自动镀膜系统。
  • 具有顺序操作或共沉积的多个电子束源。
  • 基板具有冷却(液态氮温度低至-70°C)功能。
  • 可以与传送腔、机械手臂和手套箱整合在一起。

 

 

 

 

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