低真空化学气相沉积（LPCVD）是一种化学气相沉积技术，利用热能在基板表面上引发前驱气体的反应。表面的反应是形成固化材料的原因。低真空用于减少气相反应，还可以提高整个基板的均匀性。除此之外，该过程取决于温度控制，过程温度越高，维持性越好。与大气压下的传统CVD制程相比，LPCVD的优势在于：每批制程可装载更多的晶圆（每批100-200个晶圆）、晶圆内的厚度均匀性得到了改善（<±3％），并且降低生产成本。SYSKEY的系统可以精准的控制制程气体与监控其数据(压力、载台温度)，并提供高品质的薄膜。

• 碳纳米管和石墨烯的制程。
• SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜制程。
• 热退火。
• 扩散制程。
• 氧化制程。

• 加热炉配置：水平或垂直，结合传送机构。

• 客制化的基板尺寸，最大直径可达8寸晶圆。
• 单载片或多载片。
• 优异的薄膜均匀度小于±5％。
• 精准流量控制器，气体分布高度均匀，最多可容纳10条气体管线。
• 稳定的温度控制，可将载盘加热至1700°C。

• 可以与传送腔(单载台或多载台)整合在一起。