為了因應快速的實驗和有限的空間，SYSKEY針對2吋玻璃和矽晶圓基板開發出極小型設備。Mini Line是用於小批量生產的實用製造系統。通過使得更容易生產少量的元件，這是研究人員期望的新型研究和開發，並且可實現少量的多樣化產品，而且其設備體積小不佔用空間。

對於SYSKEY的Mini Line系統，包含熱蒸鍍、濺鍍、電漿輔助式化學氣相沉積、電漿輔助式原子級沉積、乾蝕刻機、感應耦合電漿蝕刻、電子束蒸發，並可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度)，並提供高品質的薄膜。

 

 

 

 

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Multi-Target Sputter	Thermal Evaporation	PECVD
3個磁控濺鍍源。 1英吋的靶材。 優異的薄膜均勻度小於+/-3%。 具有順序操作或共沉積多個濺鍍源。 射頻、值流或脈衝直流用於不導電或導電的靶材。 載台最高可加溫至800oC。	3個蒸發源(金屬或有機)。 優異的薄膜均勻度小於+/-3%。 具有順序操作或共沉積多個蒸發源。 載台最高可加溫至800oC。	主要沉積SiOx、SiNx與a-S薄膜。 優異的薄膜均勻度小於+/-3%。 穩定的溫度控制，可將載台加熱至400 oC。 電容耦合遠程電漿源。
PEALD	Reactive-Ion Etching	Inductively Coupled Plasma Etching
前驅物可增加為兩組。 優異的薄膜均勻度小於+/-1%。 電容耦合遠程電漿源。 載台最高可加溫至400oC。 使用材料有： Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, ZnO, AlN, TiN, Pt…。	具有自動匹配的13.56MHz的射頻電源。 優異的薄膜均勻度小於+/-3%。 精準流量控制器（最多6條氣體管線）。 穩定的溫度控制，將載台加熱至200°C或冷卻至-20°C。 蝕刻材料：III-V族化合物半導體、金屬、矽、光阻。	上方有ICP。 優異的薄膜均勻度小於+/-3%。 穩定的溫度控制，將載台加熱至200°C或冷卻至-20°C。 待蝕刻物下方具有氦氣冷卻之功能，並有助於非等向性蝕刻。 蝕刻材料：III-V族化合物半導體、金屬、矽、光阻。