Для того чтобы проводить быстрые лабораторные эксперименты в условиях ограниченного пространства, компания Syskey разработала малогабаритное оборудование для 2-дюймовых стеклянных и полупроводниковых пластин, которое мы назвали "Мини-линией".Мини-линия — это практичное решение для небольших производств. Проще производить небольшое количество компонентов с помощью более универсального оборудования, что является по сути новым типом направления исследований и разработок (R&D) — как раз то, что и нужно большинству научных сотрудников.

Мини-линия от компании Syskey может включать в себя модули для термического испарения, магнетронного напыления, плазма-химического и атомно-слоевого осаждения, реактивно-ионного травления, электронно-лучевого напыления.Система точно управляет подачей технологического газа и контролировать параметры процесса (давление, температуру подложки), а также обеспечивать получение тонких плёнок высокого качества.

 

---

 

Многоцелевая система напыления	Термическое испарение	Плазма-химическое осаждение
Три магнетронных источника. Размер мишени 1 дюйм. Отличная однородность плёнок менее ±3%. Несколько источников с последовательной работой или совместным напылением. ВЧ, НЧ или импульсный НЧ режим для не токопроводящих и токопроводящих материалов соответственно. Нагрев подложкодержателя до 800 °C.	Три источника для испарения (металл и органика). Размер мишени 1 дюйм. Отличная однородность плёнок менее ±3%. Несколько источников с последовательной работой или совместным напылением. Нагрев подложкодержателя до 800 °C.	SiOx, SiNx, a-Si плёнки. Отличная однородность плёнок менее ±3%. Нагрев держателя до 400 °C со стабильным контролем температуры. Прямая и отдалённая емкостно-связанная плазма (CCP).
Плазменно-усиленное атомно-слоевое осаждение	Реактивно-ионное травление	Индуктивно связанное плазменное травление
Источники прекурсоров – до 2 линий. Отличная однородность плёнок менее ±1%. CCP отдалённая плазма. Нагрев подложек до 500 °C. Материалы для нанесения: Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, ZnO,HfO2 , SiO2 , TiO2 ,AlN,TiN,Pt.	ВЧ-генератор частотой 13,56 МГц с автоматической системой согласования даёт отличную повторяемость процесса. Отличная однородность плёнок менее ±3%. РРГ с очень равномерным. распределением и подачей газов – до 6 газовых линий. Охлаждение подложки до -20 °C и нагрев до 200 °C. Материалы: полупроводники III-V группы, металлы, кремний, фоторезисты.	Верхняя катушка для ICP плазмы, а нижняя для RIE. Отличная однородность плёнок менее ±3%. Охлаждение подложки до -20 °C и нагрев до 200 °C (опционально). Прижим для пластины с гелиевым охлаждением задней стороны помогает анизотропии травления. Материалы: полупроводники III-V группы, металлы, кремний, фоторезисты.