化学气相沉积系统

CVD 作为化学气相沉积法，是将基板暴露于一种或多种挥发性气体中，在基板表面上反应或分解以产生所需薄膜沉积的过程。这种方法通常用于在真空环境中制造高质量，高性能的固体材料。因此，该工艺通常在半导体工业中用于制造薄膜。

 Figure 1: 化学气相沉积涉及的步骤

在典型的CVD中，将制程气体在环境温度下进料到反应室中。当它们与加热中的基板接触时，它们发生反应或分解以形成薄膜，并沉积在基板上。在此过程中，还会产生具有挥发性的副产物，这些副产物会被流过反应室的气流除去。基板温度非常重要，会影响腔室内制程的反应。                                                                                                                                                      

  Figure 2: 示意图-化学气相沉积涉及的步骤