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设备产品

退火炉

 

 
 

 

 

退火爐是用於製造半導體元件的製程方法。該製程包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達到不同的效果。可以加熱晶片以激活摻雜劑,使沉積的膜緻密化,並改變生長的膜的狀態。暴露在高溫下可以修復損壞。該過程稱為退火。 爐子退火可以集成到其他爐子處理步驟中,例如氧化,也可以單獨處理。

 

 

 

 


 

應用領域 腔體
  • 半導體。
  • MEMs。
  • 納米技術。
  • LED。
  • 太陽能電池產業。
  • 平板顯示器。
  • 通過使用加熱線圈和水冷不銹鋼法蘭來控製石英管的溫度
  • 爐管配置:水平,結合傳送機構
  • 帶有視窗的手動爐門。

 

配置和優點 選件
  • 石英管尺寸:最大12英寸。
  • 單載片或多載片(最多50個晶圓)。
  • 控制精度:<±1°C。
  • 製程氣體:N2、Ar、H2。
  • 最高溫度:最高1700°C。
  • 抽氣閥件前端會有冷凍捕捉器。
  • 易於清潔和維護。
  • 和自動傳送組成在一起。