退火炉是用于制造半导体元件的制程方法。该制程包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理旨在达到不同的效果。可以加热晶片以激活掺杂剂，使沉积的膜致密化，并改变生长的膜的状态。暴露在高温下可以修复损坏。该过程称为退火。炉子退火可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，也可以单独处理。

 

 

 

 

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应用领域	腔体
半导体。 MEMs。 纳米技术。 LED。 太阳能电池产业。 平板显示器。	通过使用加热线圈和水冷不锈钢法兰来控制石英管的温度。 炉管配置：水平，结合传送机构。 带有视窗的手动炉门。
配置和优点	选件
石英管尺寸：最大12英寸。 单载片或多载片（最多50个晶圆）。 控制精度：<±1°C。 制程气体：N2、Ar、H2。 最高温度：最高1700°C。 抽气阀件前端会有冷冻捕捉器。 易于清洁和维护。	和自動傳送組成在一起。