蝕刻技術大致上可分成兩種，乾式蝕刻與濕式蝕刻。濕式蝕刻中為使用化學藥劑，經過化學反應以達到蝕刻之目的；乾式蝕刻為一種電漿式蝕刻，其原理為電漿中離子撞擊試片的物理動作或者為電漿中的自由基與試片表面的薄膜產生化學反應。

反應離子蝕刻中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。

感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產生更多的離子和電子。高密度的電漿和低真空度增強了具有非等向性的高蝕刻速率。

微波等離子清洗技術具有無損傷、效率高、無電極濺鍍污染等優點。可徹底清洗處理材料表面污染物，適用於敏感晶片的封裝清洗。