熱蒸鍍設備
熱蒸發製程是用於沉積材料中最簡單的物理氣相沉積。將材料置於真空環境中的蒸發源中,使其加熱並蒸發,以最直接的方式蒸發到基板上,然後在基板上凝結成固體形成薄膜。熱蒸發比濺鍍提供更快的蒸發速率,但其容納材料的乘載器尺寸有限,並且難以控制其蒸發速率。
有機材料熱蒸鍍設備
有機金屬熱沉積系統是一種熱蒸發的方式,用於將有機或金屬材料沉積到基板表面上。該過程需要通過精確控制溫度和沉積速率來實現薄膜的高精度和均勻性。
為了達到此要求,有機材料熱沉積系統使用高精準熱蒸發源作為加熱源,並使用金屬、石英、陶瓷或PBN坩堝來容納有機材料以及PID控制器來控制其沉積速率。該系統通常用於有機電子研究領域,例如OPV、OLED、OPD...
具有高穿透度之有機發光二極體。 | 使用CCD對位控制遮罩和基材的對 |
位精度≤±5um | |
封装系统
SYSKEY針對研究等級的實驗室,推出玻璃對玻璃封裝的對位壓合機構。我們整合塗膠系統(UV或liquid gate)和紫外光燈可安裝於手套箱或是獨立的一個壓合腔體內,且可手動進行放片,也可以透過自動傳片系統使用。可撓式OLED必須輕薄且具有可撓曲性,因此過往的玻璃材料並不適合用於此類的封裝,必須採用薄膜封裝技術(Thin-Film Encapsulation,TFE)或混和封裝技術。SYSKEY針對薄膜封裝推出電漿輔助式化學氣相沉積、原子層沉積和聚對二甲苯沉積等三種設備,且使用低溫的沉積技術,分別在OLED 上堆疊多層薄膜(SiNX、SiOXNX、Al2O3、ZnO、Parylene)並得到更好的保護層,以減少水氧對於有機元件的影響,從而提高OLED面板的壽命和性能。
原子級沉積薄膜封裝設備 聚對二甲苯沉積薄膜封裝設備 電漿輔助式化學氣相沉積薄膜封裝設備
WVTR for 5X10-4 g/m2/day |
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TEST RESULTS | IN SELECTED UNITS | 薄膜封裝應用於有機發光二極體上,其起始亮度為1萬流明 薄膜封裝層之穿透比較圖 | ||
Transmission Rate: | -6.603313(<0.5) | mg/[m2-day] | ||
Permeation: | -3.119675 | mg-mil//[m2-day] | ||
Date points | ||||
Time Rate/Event | Time Rate/Event | Time Rate/Event | Time Rate/Event | |
0:00 Condition | 8:00 Test | 17:00 -12.75783 | 26:00 -7.118823 | |
35:00 -7.602876 | 44:00 -7.667113 | 53:00 -6.392888 | 62:00 -6.688553 | |
71:00 -6.879404 | 80:00 -6.768686 | 89:00 -6.603313 | 95:29 Complete | |
95:29 Finished |
應用领域 | 腔體 |
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配置和優點 | 選件 |
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