原子層沉積系統
ALD反應為使用兩種或更多種稱為前驅物的化學物質(也稱為〝反應物〞)。這些前驅物以一種具有連續性,且自我限制的方式與一種材料的表面產生反應。通過ALD循環的次數,薄膜會緩慢的沉積。
原子層沉積設備
原子層沉積(ALD)為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應,將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數,緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統為150~350oC)。
SYSKEY的系統可以精準的控制ALD的製程,薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1%。
厚度均匀度(WIW):
單個12英寸晶圓用於沉積目標厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進行27點厚度測量並輸入標準偏差公式。在±0.5nm範圍內和均勻度的5%以內。
Al2O3 均匀度=1.58% |
HfO2 均匀度=1.27% |
介電常數和功函數:
準備三個矽晶片,並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學氧化物/ HfO2/ TiN。測量三個樣品的CV圖以計算介電常數和洩漏電流:介電常數應為7〜9(Al2O3)和18〜22(HfO2),並且洩漏電流小於1 nA(@ 1V)。
應用領域 | 腔體 |
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配置和優點 | 選件 |
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