低真空化學氣相沉積（LPCVD）是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可以提高整個基板的均勻性。除此之外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。與大氣壓下的傳統CVD製程相比，LPCVD的優勢在於：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個晶圓）、晶圓內的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產成本。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度)，並提供高品質的薄膜。

• 碳納米管和石墨烯的製程。
• SiO_x、SiN_x、a-Si、DLC和其他薄膜製程。
• 熱退火。
• 擴散製程。
• 氧化製程。

• 加熱爐配置：水平或垂直，結合傳送機構。

• 客製化的基板尺寸，最大直徑可達8寸晶圓。
• 單載片或多載片。
• 優異的薄膜均勻度小於±5％。
• 精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納10條氣體管線。
• 穩定的溫度控制，可將載盤加熱至1700°C。

• 可以與傳送腔(單載台或多載台)整合在一起。