Установка атомно-слоевого осаждения представляет собой метод парофазного химического осаждения. Это один из способов химического осаждения из газовой фазы. В большинстве реакций ALD в качестве прекурсоров используются два химических вещества. Эти прекурсоры взаимодействуют с поверхностью материала непрерывным и самоограничивающимся образом. За счёт повторяемого взаимодействия с прекурсором медленно осаждается тонкая пленка. Для термического атомно-слоевого осаждения требуются относительно высокие температуры (обычно 150-350 °С). 

Установка от компании Syskey может контролировать процесс ALD, толщину пленки, а однородность составляет менее ±1%.