ALD Атомно-слоевое осаждение – одна из самых важных технологий нанесения тонких плёнок, основанная на последовательном использовании газофазного химического осаждения; его  можно рассматривать как особый тип химического осаждения из газовой фазы (CVD). Большинство химических реакций ALD используют два или более химических соединений, называемых прекурсорами (также называются "реагентами"). Эти прекурсоры реагируют с поверхностью материала друг за другом последовательным, самоограничивающимся способом. Через несколько циклов медленно осаждается тонкая пленка. ALD является важным процессом в производстве полупроводниковых приборов и частью доступного инструментария для синтеза наноматериалов.

ALD-процесс обладает рядом преимуществ, таких как отличная однородность, конформность пленки с одинаковой толщиной пленки, нанесенной на поверхность пластины даже сложной формы, низкая температура процесса. Поэтому ALD применяется во многих областях микроэлектроники, нанотехнологий и биотехнологий, где часто работают на мягких подложках, таких как органические и биологические образцы.

Однородность по толщине (WIW):

Для нанесения пленок Al2O3 и HfO2 с целевой толщиной в 5 нм были использованы пластины диаметром 12 дюйм (300 мм). С помощью эллипсометра были проведены измерения в 27 точках и применена формула стандартного распределения. Результат оказался в пределах ± 0,5 нм и 5% неоднородности.

Al2O3 Однородность=1.58%	HlfO2 Однородность=1.27%

Диэлектрическая постоянная и работа выхода:

На трех подготовленных кремниевых пластинах было произведено осаждение структур Al2O3 / TiN и химоксид / HfO2 / TiN с заданными толщинами. Результаты расчета диэлектрической постоянной и тока утечки на основании полученных измерений диаграмм напряжения и тока трех образцов: диэлектрическая константа находится в пределах 7 ~ 9 (Al2O3) и 18 ~ 22 (HfO2), ток утечки не превышает 1 нA (при 1В).