感应耦合电浆化学气相沉积设备

OLEDs / Display

OPV / Perovskite Solar-Cell

Semiconductors

Physical / Material research

ICP-CVD 感应耦合电浆化学气相沉积（ICP-CVD）是一种使用ICP的化学气相沉积技术，可为沉积反应提供一些能量。与PECVD方法相比，ICP-CVD可以在较低的温度下沉积各种薄膜而不会降低薄膜质量。因使用ICP做为电浆源，有电浆浓度较高、能量损耗较低、功率较大与反应速率较高等优点。

SYSKEY的ICP-CVD可以精准的控制制程气体与监控其数据(压力、载台温度)，并提供高品质的薄膜。

　　　　　　3 D Graphene

应用领域	腔体
奈米碳管与石墨烯制程。 SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜制程。二维材料。医疗和商业产品的耐磨薄膜。	阳极电镀处理铝腔。通过使用水冷系统、加热器或加热包来控制腔体温度。
配置和优点	选件
客制化的基板尺寸，最大直径可达12寸晶圆。腔体压力：50~10-3 Torr。精准流量控制器，气体分布高度均匀，最多可扩充10条气体管线。稳定的温度控制，将载盘加热至700°C。使用Tornado ICP线圈，ICP电浆范围为50W ~2000W，满足客户ICP-CVD制程需求。	可以与传送腔、机械手臂和手套箱整合在一起。 RPS用于腔体清洁。椭圆偏振光谱仪。发射光谱仪。高真空传送系统。