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设备产品

低真空化学气相沉积设备

低真空化学气相沉积(LPCVD)是一种化学气相沉积技术,利用热能在基板表面上引发前驱气体的反应。表面的反应是形成固化材料的原因。低真空用于减少气相反应,还可以提高整个基板的均匀性。除此之外,该过程取决于温度控制,过程温度越高,维持性越好。与大气压下的传统CVD制程相比,LPCVD的优势在于:每批制程可装载更多的晶圆(每批100-200个晶圆)、晶圆内的厚度均匀性得到了改善(<±3%),并且降低生产成本。SYSKEY的系统可以精准的控制制程气体与监控其数据(压力、载台温度),并提供高品质的薄膜。



 

 

 

 


 

应用领域 腔体
  • 碳纳米管和石墨烯的制程。
  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜制程。
  • 热退火。
  • 扩散制程。
  • 氧化制程。
  • 加热炉配置:水平或垂直,结合传送机构。

 

 

配置和优点 选件
  • 客制化的基板尺寸,最大直径可达8寸晶圆。
  • 单载片或多载片。
  • 优异的薄膜均匀度小于±5%。
  • 精准流量控制器,气体分布高度均匀,最多可容纳10条气体管线。
  • 稳定的温度控制,可将载盘加热至1700°C。
  • 可以与传送腔(单载台或多载台)整合在一起。