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设备产品

反应离子蚀刻设备

 

 

 

 

反应离子蚀刻(RIE)中可以非常精确地控制其蚀刻轮廓、蚀刻速率和均匀性,并具有重复性。等向性蚀刻以及非等向性蚀刻都是可能的。


因此,RIE制程是化学物理蚀刻制程,也是半导体制造中用于构造各种薄膜的最重要制程。 SYSKEY的系统可以精准的控制制程气体与电浆制程,并提供高品质的薄膜。

 

 

 

 


 

应用领域 腔体
  • 基础电浆研究。
  • III-V族化合物半导体蚀刻(GaAsn,InP,GaN)。
  • Si,SiO2,SiNx 蚀刻。
  • 微机电系统。
  • 金属与矽的蚀刻。
  • 阳极电镀处理铝腔。
  • 通过使用水冷系统、加热器或加热包来控制腔体温度。

 

配置和优点 选件
  • 客制化的基板尺寸,最大直径可达12寸晶圆。
  • 单载片或多载片。
  • 优异的薄膜均匀度小于±5%。
  • 精准流量控制器,气体分布高度均匀,最多可容纳6条气体管线。
  • 稳定的温度控制,将载盘加热至400°C或冷却至-20°C。
  • 涡轮分子帮浦。
  • 蚀刻终点侦测(OES,激光)相容性。