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设备产品

反應離子蝕刻設備

 

 

 

 

反應離子蝕刻(RIE)中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性,並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。


因此,RIE製程是化學物理蝕刻製程,也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程,並提供高品質的薄膜。

 

 

 

 


 

應用領域 腔體
  • 基礎電漿研究
  • III-V族化合物半導體蝕刻(GaAsn,InP,GaN)
  • Si,SiO2,SiNx 蝕刻
  • 微機電系統
  • 金屬與矽的蝕刻
  • 陽極電鍍處理鋁腔
  • 通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度

 

配置和優點 選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達12寸晶圓
  • 單載片或多載片。
  • 優異的薄膜均勻度小於±5%
  • 精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可容納6條氣體管線
  • 穩定的溫度控制,將載盤加熱至400°C或冷卻至-20°C
  • 渦輪分子幫浦
  • 蝕刻終點偵測(OES,激光)相容性