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设备产品

電漿原子層沉積設備

 

 

電漿輔助式原子級沉積(PEALD)是一種基於常規ALD的先進方法,其利用電漿作為裂化前驅物材料的條件,而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。製程中只需靠電漿來進行裂化前驅物材料,無需高溫來傳遞必要的活化能。SYSKEY的系統可以精準的控制電漿與ALD的製程,薄膜的厚度和均勻度皆+/- 1%。

 

 

 

SONOS Memory / MOS Devices Demo

High-k Films for GaN Power Device

 


 

應用領域 腔體
  • 高k值之氧化物
  • OLED和矽太陽能電池的鈍化層
  • 微機電系統
  • 納米電子學
  • 納米孔結構薄膜
  • 光學薄膜
  • 薄膜封裝技術
  • 鋁腔或者不銹鋼腔體,其佔地面積小,可縮短製程時間
  • 通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度

 

 

 

配置和優點 選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達300mm晶圓
  • 優異的薄膜均勻度小於±1%
  • 較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積
  • 遠程等離子體電漿源
  • 前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C
  • 快速脈衝的氣體輸送閥,反應時間為10毫秒
  • 通過穩定的溫度控制,將基板載盤加熱到800°C
  • 材料:Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。
  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起
  • 橢圓偏振光譜儀。
  • 高真空傳送系統