原子层沉积设备

OLEDs / Display

OPV / Perovskite Solar-Cell

Semiconductors

Physical / Material research

原子层沉积（ALD）为一种气相化学沉积技术。大多数的ALD反应，将使用两种化学物质称为前驱物。这些前驱物以连续且自限的方式与材料表面进行反应。通过ALD循环的次数，缓慢的沉积薄膜。而热沉积式的ALD需要较高的制程温度(传统为150~350oC)。

SYSKEY的系统可以精准的控制ALD的制程，薄膜的厚度和均匀度皆小于+/- 1％。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　批量式的ALD

厚度均匀度（WIW）：

单个12英寸晶圆用于沉积目标厚度为5nm的Al2O3和HfO2膜。使用椭偏仪进行27点厚度测量并输入标准偏差公式。在±0.5nm范围内和均匀度的5％以内。

Al₂O₃ 均匀度=1.58%	HfO₂ 均匀度=1.27%

介电常数和功函数：

准备三个矽晶片，并以固定的厚度沉积Al2O3/ TiN和化学氧化物/ HfO2/ TiN。测量三个样品的CV图以计算介电常数和泄漏电流：介电常数应为7〜9（Al2O3）和18〜22（HfO2），并且泄漏电流小于1 nA（@ 1V）。

应用领域	腔体
高k值之氧化物。 OLED和矽太阳能电池的钝化层。微机电系统。纳米电子学。纳米孔结构薄膜。光学薄膜。薄膜封装技术。	铝腔或者不锈钢腔体，其占地面积小，可缩短制程时间。通过使用水冷系统、加热器或加热包来控制腔体温度。
配置和优点	选件
客制化的基板尺寸，最大直径可达300mm晶圆。优异的薄膜均匀度小于±1％。较高的深宽比和复杂结构具有相同特性之薄膜沉积。薄膜具有高致密性。前驱物材料可多达6种并可分别加热到200°C。快速脉冲的气体输送阀，反应时间为10毫秒。通过稳定的温度控制，将基板载台加热到400°C。材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。	可以与传送腔、机械手臂和手套箱整合在一起。椭圆偏振光谱仪。高真空传送系统。