化學氣相沉積
化學氣相沉積為一種製備於高純度、高性能的固態材料的化學技術。因此,該製成通常在半導體工業中製備薄膜,而所沉積的材料包誇:鑽石、矽、碳纖維、奈米線、奈米碳管、SiO2、鎢以及具有High-K特性的材料。
電漿輔助式化學氣相沉積設備
電漿輔助式化學氣相沉積(PECVD)是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術,可為沉積反應提供一些能量。與傳統的CVD方法相比,PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質量。
PECVD比半導體行業中的其他CVD技術更廣泛地使用,且可以在較低的工作溫度(低於350°C)下沉積薄膜,並具有不同形狀的均勻沉積與良好的覆蓋率。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度),並提供高品質的薄膜。
PECVD 與 PEALD PECVD 與 RIE
我們也開發不同機器但共用零組件,以達到節省成本。
應用领域 | 腔體 |
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配置和優點 | 選件 |
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